1. [인사말] 뉴스레터 발간을 시작하며 　

안녕하십니까. 진성특허법률사무소입니다.

저희 진성특허법률사무소에서는 격주간으로 반도체 지적재산권 뉴스레터를 발간하여 발명가 및 관련자에게 배포하고 있습니다.

저희 진성특허법률사무소는 개인, 중소기업, 벤처기업을 위한 특허법률사무소입니다. 특히, 반도체 분야에서는 풍부한 경험과 지식을 가진 사무소입니다.

비록 처음 배포하는 뉴스레터라 부족한 점이 많을 것이라 사료되지만, 발명가 및 관련자들이 특허정책을 수립하시는데 도움이 되었으면 합니다. 

2. [IP News] 서울서 제1회 국제발명전 개최

서울서 제1회 국제발명전 개최됩니다.

'SIIF 2002'로 명명된 '2002 서울 국제발명전시회(www.siif.org)'는 특허청이 주최하며, 한국발명진흥회 주관으로 오는 12월 4일부터 8일까지 5일간 서울 COEX 태평양관에서 개최됩니다.

이번 SIIF 2002는 단순한 발명품 전시회가 아니라 발명에 대한 전반적인 정보를 제공하고 특허 기술과 기술이동에 관한 정보, 발명 기술의 상품화 등을 포괄하는 국제 전시회입니다. 특허청은 이를 위해 전 세계 특허청과 특허 관련 기구, 기업, 발명가들과 연결해 이번 SIIF 2002에 세계 약 30개국이 참가, 500여 점의 발명품이 전시될 예정입니다.

특히 이번 국제발명전은 20년 역사의 '대한민국특허기술대전'을 같은 장소에서 동시에 개최함으로써 세계 각국의 신기술 동향 파악은 물론 기술교류와 화합의 공간을 마련한다는 의미를 갖고 있으며, 규모면에서도 스위스 제네바 국제발명전, 독일 뉘른베르그 발명전을 능가하는 규모가 될 것으로 전망됩니다.

* 문의 : 특허청 발명정책국 발명정책과실 최종협 과장, 전화 042-481-5168

3. [발표회] 특허청의 2002년도 신기술 동향조사 발표회 개최계획

▲ 일 시 : 2002년 12월 4일～6일 (3일간)

▲ 장 소 : COEX 컨퍼런스센터 3층 (310호, 311호, 320호, 321호)

※ 참석은 무료이며, 참석자에게 '2002 신기술동향조사 보고서(400페이지)’ 및 '발표자료' 배부함. ※ 참석 희망자는 해당부서에 사전예약 바라며, 동일시간에 이중접수는 불가함. ※ 주차권은 배부되지 않으니 대중교통을 이용하시기 바람.

▲기술과제별 발표회 개최일정은 특허청 홈페이지 참조.

4. [차세대 반도체] MRAM

불휘발성 메모리로서 SRAM과 동등한 수준으로 고속 읽기/쓰기가 가능하며 DRAM과 같이 고집적화할 수 있는 새로운 메모리인 MRAM (Magnetic Random Access Memory)의 잠재능력이 시제품 제작으로 입증되면서 새로운 메모리로서 시장에 진출할 채비를 갖추어 가고 있습니다.

현재는 IBM 등 미국업체가 연구개발 투자 및 성과 등 모든 면에서 단연 선두주자이지만 일본 업체들도 견해의 차이는 있지만 NEC를 시작으로 MRAM의 잠재력에 주목하여 이를 높이 평가하면서 이 분야에 속속 참여하거나 참여를 적극적으로 고려하기 시작하고 있는 추세입니다.

차세대 메모리로서 관심을 끌기 시작한 MRAM은 미국을 중심으로 개발이 급속도로 진전되고 있습니다. MRAM은 SRAM 수준으로 고속 읽기쓰기가 가능하고 DRAM과 같이 고집적화가 가능하면서 불휘발성 메모리인 것이 최대 장점입니다.

현재 사용하고 있는 플래쉬 메모리의 단점은 바로 속도와 사용전력에 있습니다. 데이터를 읽을 때는 그렇게 큰 차이가 나지는 않지만 데이터를 기록할 때에는 일반 DRAM보다 무려 1000배 정도 느리다는 단점이 있지요. 물론 기록시의 전력소모도 상당히 높습니다.

반면에 DRAM의 경우에는 속도는 빠른 반면에 전기를 계속 공급해 주지 않으면 기록되어 있는 내용이 지워진다는 단점이 있습니다. DRAM의 맨 앞에 있는 D는 전기적으로 계속 충전 시켜줘야 하는 DRAM의 특성을 나타내는 dynamic의 약자입니다.

이러한 DRAM과 플래쉬 메모리의 장점 즉, 읽고 쓰는 속도가 빠르고 소비전력이 적으면서도 전원이 끊어져도 자료를 그대로 가지고 있는 메모리가 바로 IBM에서 '74년부터 줄기차게 개발해 오던 MRAM입니다. 이 MRAM은 Magnetic RAM의 줄임 말입니다.

위에서 하드디스크와 메모리의 중간 형태라고 표현한 이유는 바로 이 메모리가 하드디스크의 정보를 기록하는 소재인 마그네틱을 사용하고 있기 때문입니다. MRAM의 아이디어 자체는 오래 전부터 나와 있던 것이지만 지금에서야 실현 가능해진 이유는 미세한 자기를 제어할 수 있는 TMR 코팅이 개발되었기 때문입니다.

1999년 후반 IBM 등 미국업체 3개 사가 단순한 연구개발 수준을 넘어 새로운 메모리로서 상용화에 한층 근접한 MRAM의 시작품을 차례로 발표하면서 지금까지 자성재료분야의 연구개발 관련자들의 관심사에 머물러 있던 MRAM의 존재가 이제는 제품화가 거의 확실시되는 차세대 메모리로 새로이 부각됨으로서 반도체분야 전체의 관심사가 되고 있습니다. 이를 둘러싼 반도체 업체들간의 경쟁도 한층 가열될 것으로 전망됩니다.

5. [반도체 기술동향] 원자층 증착기술(ALD)

Silicon Wafer 표면 위에 원자 단위로 절연체 및 전도체 물질을 고르게 박막 형성시켜 Device 수율을 높일수 있는 원자층 증착 (ALD : Automatic Layer Deposition)기술이 급부상하고 있다.

CVD는 Wafer상에 회로를 형성시키는 가공공정을 통해 Wafer 표면에 골이 발생해 박막이 고르게 형성되지 않는 단점을 안고 있다.

박막을 형성하는 반응로 내에 원하는 가스를 주입하고 이를 Wafer 표면에 형성하기 때문에 오목한 부분 측면의 박막 층이 바닥 부분에 비해 얇게 형성되는 것이다.

이를 개선한 것이 ALD로, 크기가 옹스트롱 단위인 원자가 서로 밀어내는 성질을 이용해 측면과 바닥 부분의 박막 두께 차이를 제로에 가깝게 한다.

예를 들어 박막과 박막 사이를 차단하는 절연체인 산화규소(SiO2)막을 형성시킬 경우, CVD에서는 산화규소 가스를 반응로 내에 주입하지만, ALD방식을 실리콘화수소(SiH4)를 반응로에 주입해 수소는 공기 중에 분해 시키고 Silicon 원자만 Wafer 표면에 우선 입히게 된다. 이후 산소(O2)를 주입해 산화 규소막을 형성하게 된다.

원자는 서로 밀어내는 성질을 갖고 있어 다른 원자가 이미 Wafer 표면에 내려 앉아 있을 경우 다른 자리를 찾게 되고, 이를 통해 박막이 바닥과 측면에 모두 고르게 형성 된다는 것이 전문가들의 설명이다.

ALD장치는 데이터 저장 용량이 기가급 고집적 반도체와 0.18㎛(1마이크론은 100만분의 1m) 이하의 미세회로공정기술 등장으로 보급이 확산될 전망이다.

반도체 직접도가 높아지고 회로선 폭이 좁아질수록 요철의 모양이 깊고 좁아져 기존 CVD장치로는 측면과 바닥 부분의 박막 두께 차이를 백분율로 표시한 단차 피복도(Stop Coverage)를 높이는 데 한계가 있기 때문이다.

그러나 ALD는 다양한 가스를 순차적으로 주입해 Wafer위에서 절연막을 형성하기 때문에 반응 속도가 느리고, 낮은 온도에서 막을 형성하기 때문에 막의 성질이 떨어지는 단점을 갖고 있다.

이를 극복하기 위해 등장한 것이 플라즈마에너지를 사용하는 PE(Plasma Enhanced) ALD이다. PEALD는 증착 과정에서 프라즈마를 주입시켜 온도는 그대로 유지하면서 높은 에너지를 발생시켜 막의 성질을 높이게 된다.

또 반응속도를 높이기 위해 반응로 내에 3, 4장의 Wafer를 동시에 넣고 증작시키는 미니배치방식이 도입되고 있다.

또한, 나노미터 두께의 박막 형성, 등방적 (conformad) 증착 등에 대해 기존의 CVD나 PVD는 적용하기 어려워 짐에 따라 ALD 기술이 적용되게 되었다.

ALD 주용 적용범위는 DRAM 커패시터용 유전체, Logic IC용 트랜지스터 게이트 유전체, Interconnect용 Barrier Layer 혹은 Seed Layer, 게이트 혹은 커패시터 전극물질, Non-semiconductor Application(gap dielec- trics of magnetic recording head, MEMS, organic light emitting display 등)에 적용된다.

6. [특허 Q&A] 동일한 발명의 이중특허

[질문] 저는 "가습기"를 생산하는 생산업자로서 이미 선행기술이 존재하는 발명임에도 불구하고 특허청의 선행기술조사 오류로 인해 등록된 특허를 기반으로 사업을 하던 중 선행기술의 특허권자인 갑이 자신의 특허권을 침해했다는 사실을 알려왔습니다. 실제로 선행기술 특허권자의 "가습기"와 제 "가습기"가 동일하다면, 이미 특허를 통해 얻은 수입에 대해 선행기술의 특허권자에게 로열티 또는 손해배상을 하여야 하나요?

[답변] 특허법 제36조 제1항은 최선출원만이 특허 받을 수 있다는 출원의 선후관계에 대해서 규정하고 있습니다. 그러나, 심사관의 착오나 심사미비로 동일한 발명에 대하여 2 이상의 출원에 특허권이 형성되는 것을 간과할 수는 없습니다. 즉, 동일한 발명의 이중특허의 문제가 발생할 개연성은 언제나 있다고 봅니다. 동일한 발명의 이중특허가 발생한 경우에는 1발명 1특허를 표방하는 특허제도의 취지에 어긋나기 때문에 그 중 하나의 특허만을 유효하게 존속시키고 그 외의 특허는 이를 무효로 시켜야 합니다. 귀하는 특허권은 일단 선행기술이 존재하기 때문에 무효사유가 있다고 사료됩니다.

그러나, 귀하가 선행 기술의 존재를 모르고 특허권을 부여 받아 해당 특허권의 실시 사업을 하였을 경우에는 귀하의 특허가 무효가 되더라도 과거의 실시 사업에 대하여는 형사상 민사상의 책임은 지지 않을 수 있습니다.

먼저, 형사상의 책임을 지기 위해서는 이른바 '침해의 범의'가 있어야 하는데, 귀하는 특허 전문 행정 기관인 특허청이 선행 기술과의 관계 등 특허 요건을 심사한 후 특허를 내준 것이고 귀하는 그러한 자신의 권리를 실시한 것이기 때문에 '침해의 범의'가 없어 형사상의 책임이 없는 것입니다.

또한, 민사상 귀하가 손해 배상 책임을 지기 위해서는 귀하의 행위가 '불법행위' 이어야 하고 '불법행위'는 행위자의 고의 또는 과실이 있어야 성립합니다. 그런데, 특허 전문 행정 기관인 특허청이 선행 기술과의 관계 등 특허 요건을 심사한 후 특허를 내준 것이므로 귀하는 침해의 고의 또는 선행 특허를 알지 못한 것에 대한 과실은 없는 것으로 생각됩니다. 그러므로 민사상의 손해배상책임도 없는 것이 됩니다.

물론 귀하의 특허가 무효가 확정되면, 귀하의 특허는 처음부터 없었던 것으로 되기 때문에 과거의 실시 사업과 관련하여 책임을 지게 되는 것은 아닌가 하는 의문이 있을 수 있을 것입니다. 그러나, 무효가 되더라도 귀하가 침해의 고의나 과실이 있었던 것은 아니기 때문에 소급해서 과거의 실시 사업에 대해서까지 형사상 민사상의 책임은 지지 않게 될 것으로 생각됩니다.

귀하의 특허가 무효 심판 등에 의하여 무효가 확정되면 그 이후에 실시하는 것에 대해서는 당연히 선행 특허권의 침해가 될 수 있습니다. 또, 무효가 확정되기 전이라도 무효 사유가 너무나 명백한 것을 귀하가 알게 되었을 경우에는 상대방(선행 특허권자)이 ?瀏??사실을 입증하여 무효가 되기 전이라도 무효 사유를 알게 된 이후에 실시한 것에 대한 책임을 물을 수는 있을 것이나, 특허법상으로는 특허는 무효가 확정되기 전에는 유효한 것으로 추정하기 때문에 상대방이 이러한 책임을 묻는다는 것도 그리 용이하지는 않을 것으로 생각됩니다.